SIS892ADN-T1-GE3
κατασκευαστής:
Vishay ημιαγωγούς
Περιγραφή:
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
Κατηγορία:
Ημιαγωγοί
προδιαγραφές
Τεχνολογία::
Si
Κατηγορία προϊόντων::
MOSFET
Εμπορικό όνομα::
TrenchFET
Συσκευή / Κουτί::
Επικαιροποιημένο
Συσκευή::
Ρολ
Κατασκευαστής::
Vishay ημιαγωγούς
Εισαγωγή
Το SIS892ADN-T1-GE3,από την Vishay Semiconductors,είναι MOSFET.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να ζητήσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
SUD50N06-09L-E3
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
Σημείωση:
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
SIS472DN-T1-GE3
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
SQJ850EP-T1_GE3
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualified
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
SUD50N06-09L-E3 |
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
|
|
|
|
Σημείωση: |
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
|
|
|
|
SIS472DN-T1-GE3 |
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
|
|
|
|
SQJ850EP-T1_GE3 |
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualified
|
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο: